СПЕКТРАЛЬНЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРЕХБАРЬЕРНЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБЫ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ

Аннотация

В работе приведены способы получения трехбарьерных фотодиодных структур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV и АIIВIV, их технологические этапы, а также физические свойства и технологические характеристики. Механизм токопереноса в трехбарьерной фотодиодной Aup(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- структуре определяется генерационными процессами с участием примесных уровней и захватом электронов примесными центрами, а также генерацией неосновных носителей в области объемного заряда запираемых барьеров. Трехбарьерные фотодиодные Au-рAlGaInAs-nGaAs-Agструктуры основаны на варьировании количества индия в гетерослое в зависимости от его функционального назначения.