UCH TO‘SIQLI FOTODIODLI TUZILMALARNING SPEKTRAL VA FOTOELEKTRIK XARAKTERISTIKALARI HAMDA ULARNI TAYYORLASH USULLARI

Zoirova L. X
Xashimova F. S.
TO'LIQ MATN:

Abstrakt

Maqolada AIIIVV va AIIVIV yarimo‘tkazgichli birikmalar asosida uch bar'erli fotodiod tuzilmalarini olish usullari, ularning texnologik bosqichlari, shuningdek, fizik va texnologik xususiyatlari tasvirlangan. Uch bar'erli fotodiod Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- tuzilmalarda tok oqimining o‘tkazilish mexanizmi aralashma darajalari va aralashma markazlarining elektronlarni tortib olishni qamrab oluvchi generatsion jarayonlar, shuningdek, yopiladigan barьerlar hajmiy zaryad sohasidagi asosiy bo‘lmagan tashuvchilar generatsiyasi bilan belgilanadi. Uch bar'erli fotodiod AurAlGaInAs-nGaAs-Ag- tuzilmalar funktsional maqsadiga qarab, geterogen qatlamdagi indiy miqdorining o‘zgartirishiga asoslangan.

Nashr sanasi

Mualliflar haqida

Zoirova L. X

fiziko-matematika fanlari nomzodi, dotsent

Navoi davlat konchilik instituti
Xashimova F. S.

katta o‘qituvchi

Navoi davlat konchilik instituti

How to Cite

Zoirova Л., & Xashimova Ф. (2020). UCH TO‘SIQLI FOTODIODLI TUZILMALARNING SPEKTRAL VA FOTOELEKTRIK XARAKTERISTIKALARI HAMDA ULARNI TAYYORLASH USULLARI. ILM-FAN VA INNOVATSION RIVOJLANISH, 3(5), 100–104. Retrieved from https://ilm-fan-journal.csti.uz/index.php/journal/article/view/248
Ko'rishlar soni: 30